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Os HEXFETs de quinta geração da International Rectifier utilizam técnicas avançadas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e design de dispositivo robusto pelo qual os HEXFET PowerMOSFETs são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.