Transistor
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IRFHS9351TRPBFMais
Perdas de condução mais baixas permitem melhor dissipação térmica Maior densidade de potência
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IRLML0030TRPBFMais
Menor perda de comutação Compatibilidade com vários fornecedores Fabricação mais fácil
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Transistor de efeito de campo 2N7002ET1GMais
O 2N7002ET1G é um MOSFET de pequeno sinal do tipo transistor de efeito de campo de canal N,
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Transistores LDMOS de potência RF MRFE6VP5300NMais
O MRFE6VP5300N é um MOSFET lateral de modo N--aprimoramento de canal--de banda larga com
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MOSFET de potência MOSFET de potênciaMais
O STR2P3LLH6 é um transistor de efeito de campo MOSFET de potência de canal P. Este dispositivo é
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ISL9V3040S3STMais
O ISL9V3040S3ST é EcoSPARK® 300mJ, 400V, IGBT de ignição de canal N e também é um MOSFET
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IRF4905PBFMais
O transistor IRF4905PBF MOSFET é um componente eletrônico altamente eficiente com resistência
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IRF3205STRLPBFMais
O IRF3205STRLPBF é um poderoso transistor MOSFET que apresenta tecnologia de processo avançada,
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BTA12-600BRGMais
O BTA12-600BRG é um tiristor de alta qualidade adequado para aplicações de comutação CA de uso
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