Transistor de potência de efeito de campo com modo de aprimoramento de canal N em um invólucro plástico usando tecnologia TrenchMOS™, apresentando resistência de estado ligado muito baixa.
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BUK9608-55A
Transistor de potência de efeito de campo com modo de aprimoramento de canal N em um invólucro plástico usando tecnologia TrenchMOS™, apresentando resistência de estado ligado muito baixa.
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